ON Semiconductor BC847BPDW1T1

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

触点镀层

Lead, Tin

表面安装

YES

引脚数

6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

hFEMin

150

Number of Elements

2

Voltage Rating (DC)

45 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package Description

CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

419B-02

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BC847BPDW1T1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

7.67

Part Package Code

SC-88

包装

卷带

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

BIP 通用小信号

最大功率耗散

380 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

100 mA

频率

100 MHz

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

极性

NPN, PNP

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

元素配置

Dual

功率耗散

380 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

100 MHz

极性/通道类型

NPN和PNP

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大集电极电流

100 mA

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

200

集电极-发射器电压-最大值

45 V

辐射硬化

无

无铅

含铅