ON Semiconductor ECH8659-TL-W

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

23 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2017

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

附加功能

防静电

最大功率耗散

1.3W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-XDSO-F8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

1.3W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 3.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.6V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

710pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.8nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

7A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏极-源极导通最大电阻

0.024Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 4V Drive

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅