ON Semiconductor ECH8667-TL-H

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

63 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

1.5W

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

接通延迟时间

7.2 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

39m Ω @ 2.5A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

600pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

23ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

42 ns

连续放电电流(ID)

5.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.039Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

900μm

长度

2.9mm

宽度

2.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅