ON Semiconductor ECH8695R-TL-W

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

Turn Off Delay Time

19.7 μs

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.4W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

通道数量

2

元素配置

Dual

接通延迟时间

300 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.1m Ω @ 5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.3V @ 1mA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 4.5V

上升时间

320ns

漏源电压 (Vdss)

24V

下降时间（典型值）

22.3 μs

连续放电电流(ID)

11A

栅极至源极电压(Vgs)

12.5V

漏源击穿电压

24V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 2.5V Drive

高度

900μm

长度

2.9mm

宽度

2.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅