ON Semiconductor FDMA1025P

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VDFN Exposed Pad

引脚数

6

质量

40mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

700mW

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-3.1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.4W

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

155m Ω @ 3.1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

450pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.8nC @ 4.5V

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

-3.1A

阈值电压

-900mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

750μm

长度

2mm

宽度

2mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅