ON Semiconductor FDMB2307NZ

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

引脚数

6

质量

12.0024mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2017

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

800mW

基本部件号

FDMB2307

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.2W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

晶体管应用

SWITCHING

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 5V

上升时间

34ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

17 ns

连续放电电流(ID)

8A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.7A

输入电容

1.76nF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

750μm

长度

2mm

宽度

3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅