ON Semiconductor FDMC8030

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 hours ago)

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

196mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2007

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

800mW

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.9W

箱体转运

排水源头

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1975pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

3ns

漏源电压 (Vdss)

40V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

30 pF

高度

800μm

长度

3mm

宽度

3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant