ON Semiconductor FDML7610S

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

23 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

300mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A 17A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

31 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2.2W

JESD-30代码

R-PDSO-N6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.2W

功率 - 最大

800mW 900mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1750pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 10V

连续放电电流(ID)

17A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

60A

漏极-源极导通最大电阻

0.0075Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1.8 V

高度

750μm

长度

3mm

宽度

4.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant