FDMS7606
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ON Semiconductor FDMS7606

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型号

FDMS7606

utmel 编号

1807-FDMS7606

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerWDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDMS7606
FDMS7606 ON Semiconductor MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDMS7606详情

ON Semiconductor FDMS7606重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerWDFN

  • 引脚数

    8

  • 质量

    211mg

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    11.5A 12A

  • Number of Elements

    2

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    1W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PDSO-N6

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    2.5W

  • 箱体转运

    排水源头

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    11.4m Ω @ 11.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1400pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    22nC @ 10V

  • 上升时间

    3ns

  • 下降时间(典型值)

    3 ns

  • 连续放电电流(ID)

    12A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    11.5A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0114Ohm

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    50 pF

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FDMS7606相似的参数规格。

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FDMS7606拓展信息

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