ON Semiconductor FDPC8011S
- 收藏
- 对比
FDPC8011S
1807-FDPC8011S
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
--
大陆
立即发货

MOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench
--最小包装量--
FDPC8011S详情
ON Semiconductor FDPC8011S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
引脚数
8
质量
192mg
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
38 ns
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
900mW
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
25V
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
27A
阈值电压
1.4V
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
13A
漏源击穿电压
25V
输入电容
1.24nF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
1.2mOhm
最大rds
6 mΩ
栅源电压
1.4 V
高度
800μm
长度
3.4mm
宽度
3.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDPC8011S拓展信息










哦! 它是空的。