注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
FDS6812A
品牌
ON Semiconductor
utmel 编号
1807-FDS6812A
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
起订量
--最小包装量--
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FDS6812A详情
技术参数
PDF文档
型号对比
ON Semiconductor FDS6812A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
引脚数
8
质量
230.4mg
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
24 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
35MOhm
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
900mW
额定电流
6.7A
元素配置
Dual
功率耗散
2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 6.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1082pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19nC @ 4.5V
上升时间
8ns
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
技术文档: ON Semiconductor FDS6812A.
右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FDS6812A相似的参数规格。
Surface Mount
6.7 A
12 V
900 mW
2 W
-55°C ~ 150°C (TJ)
8 A
3.1 W
Infineon Technologies
8.7 A
-
2.5 W
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FDS6812A拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NTJD4152PT2G
封装:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
品牌:ON Semiconductor
¥2.987901
型号:FDD8424H
封装:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
库存:1938
型号:FDS4559
封装:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
库存:0
型号:NTMD6N02R2G
¥9.090759
型号:NDC7002N
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库存:239
型号:FDC3601N
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