ON Semiconductor FDS8935

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

11 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

187mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

3.1W

终端形式

鸥翼

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.1W

接通延迟时间

5 ns

功率 - 最大

1.6W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

183m Ω @ 2.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

879pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19nC @ 10V

上升时间

3ns

漏源电压 (Vdss)

80V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

2.1A

阈值电压

-1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-80V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

-1.8 V

反馈上限-最大值 (Crss)

36 pF

高度

1.5mm

长度

4mm

宽度

5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant