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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.955991
10
¥12.222633
100
¥11.530785
500
¥10.878097
1000
¥10.262356
ON Semiconductor FDW2501N
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- 对比
FDW2501N
1807-FDW2501N
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDW2501N详情
ON Semiconductor FDW2501N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
26 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
600mW
额定电流
6A
功率耗散
1W
功率 - 最大
600mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
18mOhm @ 6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1290pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
6A
阈值电压
900mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
输入电容
1.29nF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
18mOhm
最大rds
18 mΩ
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDW2501N拓展信息








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