注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
FDW2511NZ
品牌
ON Semiconductor
utmel 编号
1807-FDW2511NZ
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
FDW2511NZ详情
技术参数
PDF文档
型号对比
ON Semiconductor FDW2511NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.1A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
41 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
1.6W
额定电流
功率耗散
功率 - 最大
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Rds On(Max)@Id,Vgs
20mOhm @ 7.1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1000pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17.3nC @ 4.5V
上升时间
84ns
漏源电压 (Vdss)
下降时间(典型值)
84 ns
连续放电电流(ID)
阈值电压
800mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
输入电容
1nF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
20mOhm
最大rds
20 mΩ
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
技术文档: ON Semiconductor FDW2511NZ.
右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FDW2511NZ相似的参数规格。
Surface Mount
7.1 A
800 mV
12 V
1.6 W
-
6.1 A
6.7A, 6.1A
600 mV
1.7 W
6.8 A
6.8A (Ta)
1.39 W
查看更多
FDW2511NZ拓展信息
热销零件
相关分类
热门搜索
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NTJD4152PT2G
封装:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
品牌:ON Semiconductor
库存:0
型号:FDD8424H
封装:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
库存:1938
型号:FDS4559
封装:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
型号:NTMD6N02R2G
型号:NDC7002N
封装:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
库存:239
型号:FDC3601N
库存:20790
购物车 (0件产品)