ON Semiconductor FDY2000PZ

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

质量

32mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

8 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

625mW

终端形式

FLAT

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

630mW

接通延迟时间

6 ns

功率 - 最大

446mW

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 350mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

100pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.4nC @ 4.5V

上升时间

13ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

350mA

阈值电压

-1.03V

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.35A

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

600μm

长度

1.7mm

宽度

1.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅