FDY4000CZ
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ON Semiconductor FDY4000CZ

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型号

FDY4000CZ

utmel 编号

1807-FDY4000CZ

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

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FDY4000CZ
FDY4000CZ ON Semiconductor MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

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FDY4000CZ详情

ON Semiconductor FDY4000CZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 引脚数

    6

  • 质量

    32mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    600mA 350mA

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    8 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    700MOhm

  • 附加功能

    防静电

  • 电压 - 额定直流

    600V

  • 最大功率耗散

    625mW

  • 终端形式

    FLAT

  • 额定电流

    600mA

  • 元素配置

    Dual

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    625mW

  • 功率 - 最大

    446mW

  • 场效应管类型

    N and P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    700m Ω @ 600mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    60pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1.1nC @ 4.5V

  • 上升时间

    13ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    13 ns

  • 连续放电电流(ID)

    600mA

  • 阈值电压

    600mV

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 高度

    500μm

  • 长度

    1.6mm

  • 宽度

    1.2mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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