FGB40N6S2T
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ON Semiconductor FGB40N6S2T

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型号

FGB40N6S2T

utmel 编号

1807-FGB40N6S2T

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT 600V 75A 290W TO263AB

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FGB40N6S2T
FGB40N6S2T ON Semiconductor IGBT 600V 75A 290W TO263AB

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FGB40N6S2T详情

ON Semiconductor FGB40N6S2T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-263AB

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.9V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    75A

  • Test Conditions

    390V, 20A, 3Ohm, 15V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    600V

  • 最大功率耗散

    290W

  • 额定电流

    75A

  • 基本部件号

    FGB40N6

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    290W

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    290W

  • 上升时间

    10ns

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2.7V

  • 最大集电极电流

    75A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    600V

  • 最大击穿电压

    600V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.7V @ 15V, 20A

  • 闸门收费

    35nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    180A

  • Td(开/关)@25°C

    8ns/35ns

  • 开关能量

    115μJ (on), 195μJ (off)

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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FGB40N6S2T拓展信息

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