ON Semiconductor FGD3N60LSDTM
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FGD3N60LSDTM
1807-FGD3N60LSDTM
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2 Tab) DPAK Tube
--最小包装量--
FGD3N60LSDTM详情
ON Semiconductor FGD3N60LSDTM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 3A, 470 Ω, 10V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
低导通损耗
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
40W
终端形式
鸥翼
额定电流
6A
基本部件号
FGD3N60
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
6A
反向恢复时间
234 ns
最大击穿电压
600V
接通时间
85 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.5V @ 10V, 3A
关断时间-标准值(toff)
1420 ns
闸门收费
12.5nC
集极脉冲电流(Icm)
25A
Td(开/关)@25°C
40ns/600ns
开关能量
250μJ (on), 1mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5V
高度
2.3mm
长度
6.6mm
宽度
6.1mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FGD3N60LSDTM拓展信息
ON Semiconductor
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