ON Semiconductor FQS4900TF

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

230.4mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.3A 300mA

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

FQS4900

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

550m Ω @ 650mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.95V @ 20mA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.1nC @ 5V

上升时间

25ns

漏源电压 (Vdss)

60V 300V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

47 ns

连续放电电流(ID)

1.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.65Ohm

漏源击穿电压

-300V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

5.2A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅