ON Semiconductor HGTD7N60C3S9A

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

44 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6V

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

60W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

14A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

60W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

14A

JEDEC-95代码

TO-252AA

接通时间

20 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 7A

关断时间-标准值（toff)

490 ns

闸门收费

23nC

集极脉冲电流（Icm）

56A

开关能量

165μJ (on), 600μJ (off)

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅