ON Semiconductor MMBTH10

生命周期状态

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工厂交货时间

14 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23-3 (TO-236)

质量

30mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

225mW

额定电流

50mA

频率

650MHz

基本部件号

MMBTH10

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

225mW

功率 - 最大

225mW

增益带宽积

650MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 4mA 10V

电压 - 集射极击穿（最大值）

25V

最高频率

650MHz

最大击穿电压

25V

频率转换

650MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

连续集电极电流

50mA

高度

930μm

长度

2.92mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅