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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 MMBTH10-4LT1G
MMBTH10-4LT1G
MMBTH10-4LT1G

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ON Semiconductor MMBTH10-4LT1G

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型号

MMBTH10-4LT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MMBTH10-4LT1G

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23

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MMBTH10-4LT1G
MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23

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技术参数

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型号对比

ON Semiconductor MMBTH10-4LT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    25V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    500mV

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    120

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    25V

  • 最大功率耗散

    225mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    260

  • 额定电流

    4mA

  • 频率

    800MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MMBTH10

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    300mW

  • 无卤素

    无卤素

  • 增益带宽积

    800MHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    25V

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    120 @ 4mA 10V

  • 转换频率

    800MHz

  • 最大击穿电压

    25V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    3V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.025A

  • 集电极-基极电容-最大值

    0.7pF

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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