ON Semiconductor MMBTH10LT1

生命周期状态

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包装/外壳

SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

60

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2003

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

225mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

4mA

频率

650MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

300mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

650MHz

集电极发射器电压(VCEO)

25V

转换频率

650MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

集电极电流-最大值(IC)

0.025A

最小直流增益（hFE）

60

集电极-基极电容-最大值

0.7pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅