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1

￥1.011983
10

￥0.954699
100

￥0.900662
500

￥0.849682
1000

￥0.801585

ON Semiconductor MMBTH10RG

Name: MMBTH10RG
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-MMBTH10RG
Price: 1.01 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MMBTH10RG

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MMBTH10RG

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor, Bjt, Npn, 40V V(Br)Ceo, 50Ma I(C), Sot-23 Rohs Compliant: Yes

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MMBTH10RG ON Semiconductor Transistor, Bjt, Npn, 40V V(Br)Ceo, 50Ma I(C), Sot-23 Rohs Compliant: Yes

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技术参数

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型号对比

ON Semiconductor MMBTH10RG重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间

7 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
质量

30mg
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V
Number of Elements

1
hFEMin

50
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2008
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
电压 - 额定直流

40V
最大功率耗散

225mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
额定电流

50mA
频率

450MHz
基本部件号

MMBTH10
元素配置

Single
输出功率

225mW
晶体管应用

AMPLIFIER
增益带宽积

450MHz
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

40V
最大集电极电流

50mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 1mA 6V
转换频率

450MHz
集电极基极电压(VCBO)

40V
发射极基极电压 (VEBO)

4V
连续集电极电流

45mA
集电极-基极电容-最大值

0.6pF
高度

930μm
长度

2.92mm
宽度

1.3mm
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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MMBTH10RG拓展信息

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