ON Semiconductor MPSH11

工厂交货时间

36 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

195mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

350mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

50mA

频率

650MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

350mW

输出功率

50mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 4mA 10V

转换频率

650MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

连续集电极电流

50mA

集电极-基极电容-最大值

0.7pF

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅