ON Semiconductor NGD18N45CLBT4G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

供应商器件包装

TO-252, (D-Pak)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

500 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

18 A

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Test Conditions

300V, 1kOhm, 5V

包装

卷带

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

115 W

元素配置

Single

输入类型

Logic

功率 - 最大

115 W

无卤素

无卤素

集电极发射器电压(VCEO)

500 V

最大集电极电流

18 A

电压 - 集射极击穿（最大值）

500 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 4.5V, 7A

IGBT类型

-

集极脉冲电流（Icm）

50 A

Td（开/关）@25°C

420ns/2.9µs

开关能量

-

无铅

无铅