ON Semiconductor NGTD13T120F2WP

安装类型

表面贴装

包装/外壳

Die

供应商器件包装

Wafer

Package

Tray

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Test Conditions

-

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

输入类型

Standard

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 15A

IGBT类型

沟渠现场停车

集极脉冲电流（Icm）

60 A

Td（开/关）@25°C

-

开关能量

-