ON Semiconductor NTHD4502NT1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

14.6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

640mW

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

3.9A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

NTHD4502N

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.13W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

85m Ω @ 2.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

140pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7nC @ 10V

上升时间

5.4ns

下降时间（典型值）

5.4 ns

连续放电电流(ID)

2.2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.9A

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

25 pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅