ON Semiconductor NTLJD3115PT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

9 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.3A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

19.8 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

100MOhm

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

710mW

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-4.1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NTLJD3115P

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

531pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.2nC @ 4.5V

上升时间

15ns

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

3.3A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

750μm

长度

2mm

宽度

2mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅