ON Semiconductor NTMD5836NLR2G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A 5.7A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

26 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1.5W

终端形式

鸥翼

基本部件号

NTMD5836

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

12m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2120pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 10V

上升时间

22ns

下降时间（典型值）

8.5 ns

连续放电电流(ID)

5.7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏源击穿电压

40V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅