ON Semiconductor NTZD3158PT1G

工厂交货时间

2 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

250mW

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

250mW

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

900m Ω @ 430mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

175pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.5nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

连续放电电流(ID)

430mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.43A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant