ROHM Semiconductor 2SK2463T100

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

50 ns

已出版

1998

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200pF @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

50 ns

连续放电电流(ID)

2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏极-源极导通最大电阻

0.58Ohm

漏源击穿电压

60V

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅