ROHM Semiconductor 2SK3541T2L
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2SK3541T2L
2078-2SK3541T2L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-723
大陆
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MOSFET N-CH 30V .1A VMT3
--最小包装量--
2SK3541T2L详情
ROHM Semiconductor 2SK3541T2L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Copper, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-723
引脚数
3
供应商器件包装
VMT3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4V
Power Dissipation (Max)
150mW Ta
Turn Off Delay Time
80 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电阻
13Ohm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
30V
额定电流
100mA
元素配置
Single
功率耗散
150mW
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13pF @ 5V
上升时间
35ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
100mA
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
输入电容
13pF
漏源电阻
5Ohm
最大rds
8 Ω
栅源电压
1.5 V
高度
500μm
长度
1.2mm
宽度
800μm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SK3541T2L拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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