ROHM Semiconductor BSM180D12P2C101

工厂交货时间

25 Weeks

底架

Screw

包装/外壳

Module

引脚数

10

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

204A Tc

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

最大功率耗散

1.13kW

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-XUFM-X8

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1130W

场效应管类型

2 N-Channel (Half Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 35.2mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

23000pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

1200V 1.2kV

连续放电电流(ID)

180A

阈值电压

2.7V

栅极至源极电压(Vgs)

22V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

360A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Silicon Carbide (SiC)

栅源电压

2.7 V

高度

21.1mm

长度

122mm

宽度

45.6mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant