ROHM Semiconductor HP8M31TB1

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.5A Ta

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

3W Ta

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 8.5A, 10V, 70m Ω @ 8.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

470pF 2300pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.3nC, 38nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.073Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

5.4 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant