ROHM Semiconductor HP8S36TB

工厂交货时间

20 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27A 80A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

排水源头

功率 - 最大

29W

场效应管类型

2 N-Channel (Half Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4m Ω @ 32A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6100pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

47nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12A

漏极-源极导通最大电阻

0.0133Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

5.3 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

ROHS3 Compliant