ROHM Semiconductor R5009ANX

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

62 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2010

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

720m Ω @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

9A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏极-源极导通最大电阻

0.72Ohm

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

5.4 mJ

高度

15.4mm

长度

10.3mm

宽度

4.8mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅