ROHM Semiconductor R5016ANX

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

150 ns

Power Dissipation (Max)

50W Tc

已出版

2008

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

270m Ω @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 10V

上升时间

50ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

55 ns

连续放电电流(ID)

16A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.27Ohm

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

64A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅