ROHM Semiconductor R5019ANJTL

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

83

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Ta

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

Turn Off Delay Time

165 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

100W

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

115ns

下降时间（典型值）

100 ns

连续放电电流(ID)

19A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.24Ohm

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

76A

雪崩能量等级（Eas）

24.3 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant