ROHM Semiconductor R5021ANX

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

210m Ω @ 10.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

64nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

21A

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.21Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

84A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

29.6 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅