ROHM Semiconductor R6018ANJTL

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

Turn Off Delay Time

155 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

37 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

270m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2050pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

55nC @ 10V

上升时间

85ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

65 ns

连续放电电流(ID)

18A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.27Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅