ROHM Semiconductor R6030ENX

工厂交货时间

18 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

质量

2.565008g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

40W Tc

Turn Off Delay Time

190 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 14.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2100pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

85nC @ 10V

上升时间

55ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

30A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

高度

15.4mm

长度

10.3mm

宽度

4.8mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅