ROHM Semiconductor RCD040N25TL

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

20W Tc

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

20W

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

1Ohm

漏源击穿电压

250V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16A

雪崩能量等级（Eas）

1.61 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant