ROHM Semiconductor RCD051N20TL

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

850mW Ta 20W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

JESD-609代码

e2

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn98Cu2)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

760m Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.25V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

330pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.3nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

5A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.76Ohm

DS 击穿电压-最小值

200V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅