ROHM Semiconductor RCD080N25TL

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

850mW Ta 20W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e2

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn98Cu2)

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

20W

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

40ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

250V

雪崩能量等级（Eas）

4.67 mJ

高度

2.5mm

长度

6.7mm

宽度

5.8mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant