ROHM Semiconductor RCX080N25

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.23W Ta 35W Tc

Turn Off Delay Time

28 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600m Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

840pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

28ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

8A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏极-源极导通最大电阻

0.6Ohm

漏源击穿电压

250V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32A

雪崩能量等级（Eas）

4.66 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅