ROHM Semiconductor RCX100N25
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RCX100N25
2078-RCX100N25
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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MOSFET N-CH 250V 10A TO-220FM
--最小包装量--
RCX100N25详情
ROHM Semiconductor RCX100N25重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
40W Tc
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2009
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
40W
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
10A
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.32Ohm
漏源击穿电压
250V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40A
雪崩能量等级(Eas)
7.29 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RCX100N25拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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