ROHM Semiconductor RCX120N20

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.23W Ta 40W Tc

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

325m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.25V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

740pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

33ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

12A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅