ROHM Semiconductor RDD050N20TL

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

20W Tc

Turn Off Delay Time

23 ns

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn98Cu2)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

20W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

720m Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

292pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.3nC @ 10V

上升时间

22ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

5A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.72Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

雪崩能量等级（Eas）

75 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant