RDN050N20FU6
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ROHM Semiconductor RDN050N20FU6

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型号

RDN050N20FU6

utmel 编号

2078-RDN050N20FU6

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

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RDN050N20FU6
RDN050N20FU6 ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

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RDN050N20FU6详情

ROHM Semiconductor RDN050N20FU6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    5A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    30W Tc

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2006

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 功率耗散

    30W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    720m Ω @ 2.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    292pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    18.6nC @ 10V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 连续放电电流(ID)

    5A

  • 漏源击穿电压

    200V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor RDN050N20FU6.

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & RDN050N20FU6相似的参数规格。

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RDN050N20FU6拓展信息

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