ROHM Semiconductor RDN050N20FU6
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RDN050N20FU6
2078-RDN050N20FU6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
1最小包装量--
RDN050N20FU6详情
ROHM Semiconductor RDN050N20FU6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
30W Tc
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2006
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
功率耗散
30W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
720m Ω @ 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
292pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18.6nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
5A
漏源击穿电压
200V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RDN050N20FU6拓展信息
ROHM Semiconductor
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